Carburo de silicio sobre semiconductores de banda prohibida ancha
El carburo de silicio se considera un semiconductor de banda prohibida amplia debido a su gran banda prohibida de energía (aproximadamente 3,0 eV para el politipo hexagonal común). Esta propiedad le permite soportar voltajes y temperaturas más altos en comparación con los semiconductores convencionales basados en silicio.
Descripción
Descripción
El carburo de silicio (SiC) es ampliamente reconocido como un material semiconductor de banda prohibida ancha.
Especificación
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Carburo de silicio negro(Los productos pueden serpersonalizado)
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Objetivo
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Especificación
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Composición química (por ciento)
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Contenido máximo de material magnético (porcentaje)
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SIC-min
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FC-máx
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Fe2O3-máx.
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Grado de abrasivos
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Grano
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12-80
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98
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0.20
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0.6
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0.0023
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90-150
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97
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0.30
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0.8
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0.0021
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180-220
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97
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0.30
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1.2
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0.0018
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micropolvo
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240-4000
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96
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0.35
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1.35
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-
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Grado refractario
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Tamaño del grupo
(mm)
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0-1
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97
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0.35
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1.35
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-
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1-3
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3-5
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5-8
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Polvo fino
(malla)
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-180
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97
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0.35
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1.35
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-
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-200
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-240
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-320
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Color
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Negro
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Dureza (mohs)
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9.15
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Punto de fusión (grado)
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2250
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Temperatura máxima de servicio (grados)
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1900
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Densidad natural (g/cm3)
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3.9
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Aquí hay información sobre SiC como un semiconductor de banda prohibida amplia:
- Energía de banda prohibida amplia: el carburo de silicio tiene una energía de banda prohibida significativamente más amplia en comparación con los semiconductores tradicionales como el silicio. La banda prohibida de SiC oscila entre aproximadamente 2,2 y 3,3 electronvoltios (eV), según la estructura cristalina y el politipo.
- Alto voltaje de ruptura: la amplia banda prohibida de SiC permite capacidades de alto voltaje de ruptura. Los dispositivos basados en SiC pueden soportar campos eléctricos más altos antes de sufrir una avería, lo que los hace adecuados para aplicaciones de alto voltaje.
- Operación a alta temperatura: la amplia banda prohibida del carburo de silicio también permite la operación a alta temperatura. Los dispositivos de SiC pueden mantener su rendimiento y confiabilidad a temperaturas elevadas, lo que los hace adecuados para aplicaciones que experimentan altas cargas térmicas.
- Conversión de energía eficiente: la amplia banda prohibida de SiC, combinada con su excelente conductividad térmica y baja resistencia, permite una conversión de energía más eficiente en comparación con los dispositivos tradicionales basados en silicio. Los dispositivos electrónicos de potencia basados en SiC, como diodos, MOSFET e IGBT (transistores bipolares de puerta aislada), ofrecen pérdidas de energía reducidas, frecuencias operativas más altas y eficiencia energética mejorada.
- Velocidades de conmutación más rápidas: la amplia banda prohibida y la alta movilidad de electrones de SiC dan como resultado velocidades de conmutación más rápidas para los dispositivos basados en SiC. Los dispositivos SiC pueden encenderse y apagarse más rápidamente, lo que permite frecuencias de conmutación más altas.
- Amplia gama de aplicaciones: las propiedades semiconductoras de banda prohibida amplia de SiC lo hacen adecuado para diversas aplicaciones. Se usa comúnmente en electrónica de potencia, incluidos los trenes de transmisión de vehículos eléctricos (EV), sistemas de energía renovable (como inversores solares y eólicos), accionamientos de motores industriales y aplicaciones de conmutación de alta frecuencia.
Las propiedades semiconductoras de banda prohibida amplia del carburo de silicio le permiten superar a los semiconductores tradicionales basados en silicio en aplicaciones de alto voltaje, alta temperatura y alta potencia.
La tecnología SiC está en constante evolución y tiene el potencial de revolucionar varias industrias al permitir sistemas electrónicos de potencia más eficientes, compactos y confiables.
Preguntas más frecuentes
Q: Iel precio es negociable?
R: Sí, si tiene alguna pregunta, no dude en contactarnos. Haremos todo lo posible para apoyar a los clientes que desean expandir el mercado.
Q: Cy usted proporciona muestras gratis?
R: Sí, podemos proporcionar muestras gratuitas.
Q: C¿Utiliza nuestras especificaciones para producir sus productos? ¿Se admiten productos personalizados?
R: Sí, si puede cumplir con nuestra cantidad mínima de pedido, las especificaciones del producto se pueden personalizar.
P: ¿Es usted un fabricante?
R: Sí, somos un fabricante ubicado en la ciudad de Anyang, provincia de Henan.
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