Oblea de silicio CZ
Las obleas de silicio CZ se utilizan comúnmente en la industria de los semiconductores como sustratos para la fabricación de circuitos integrados, microprocesadores y otros dispositivos electrónicos. Son apreciados por su alta pureza, baja densidad de defectos y excelentes propiedades eléctricas.
Descripción
Descripción
Una oblea de silicio CZ es un tipo de oblea de silicio que se fabrica utilizando el método Czochralski (CZ), que es un método popular para cultivar monocristales de silicio. El método CZ consiste en fundir silicio de alta pureza en un crisol y luego extraer lentamente un cristal semilla del fundido mientras gira el crisol y el cristal semilla en direcciones opuestas.
A medida que el cristal semilla se extrae de la masa fundida, el silicio se solidifica en forma cilíndrica alrededor del cristal semilla. Este proceso da como resultado un solo cristal de silicio que está libre de defectos y tiene un alto grado de pureza.
Especificación
| Diámetro | 2" | 3" | 4" | 5" | 6" | 8" | 12" |
| Calificación | Principal | ||||||
| Método de crecimiento | CZ | ||||||
| Orientación | < 1-0-0 > , < 1-1-1 > , < 1-1-0 > | ||||||
| Tipo/Dopante | Tipo P/Boro, Tipo N/Phos, Tipo N/As, Tipo N/Sb | ||||||
| Espesor (μm) | 279 | 380 | 525 | 625 | 675 | 725 | 775 |
| Tolerancia de grosor | Estándar ± 25 μm, capacidades máximas ± 5 μm | ± 20μm | ± 20μm | ||||
| Resistividad | 0.001 - 100 ohm-cm | ||||||
| superficie acabada | P/E , P/P, E/E, G/G | ||||||
| TTV (μm) | Estándar< 10 um, Maximum Capabilities <5 um | ||||||
| Arco/Deformación (?m) | Estándar<40 um, Maximum Capabilities <20 um | <40μm | <40μm | ||||
Etiqueta: oblea de silicio cz
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